Samsung, 128GB'a kadar 12 gb DDR5 DRAM'ı başlattı ve 128GB'a kadar bellek modülünü destekledi
WCCFTech'e göre Samsung, 128GB'a kadar bellek modülünü destekleyebilen 12nm süreç teknolojisine dayanan dünyanın ilk 32GB DDR5 DRAM çözümünün lansmanını duyurdu.
Şimdiye kadar, SK Hynix ve Micron gibi bellek üreticileri, 96GB bellek çözümü elde edebilen 24GB DDR5 DRAM sağladılar, ancak Samsung 12nm seviyeli bir çözümle kapasiteyi% 33,3 artırdı.Aynı zamanda Micron, 32GB DDR5 DRAM'ın lansmanını da doğruladı, ancak şimdiye kadar sadece bir yol haritası yayınlandı.
Samsung, bu yıl Mayıs ayında 12nm seviye 16GB DDR5 DRAM'ın kitlesel üretiminin başladığını duyurdu.Yeni 12nm seviye 32GB DDR5 DRAM'ın bu yılın sonunda kitle üretimine başlaması planlanıyor.
Samsung, 12nm seviye 32GB DRAM ile 1 TB'a kadar DRAM modülüne ulaşabilen bir çözümün, yapay zeka döneminde yüksek kapasiteli DRAM talebini karşılayabileceğini belirtti.
Samsung ilk 64kb DRAM'ını 1983 yılında geliştirdi ve DRAM kapasitesini son kırk yılda 500000 kat başarıyla artırdı.
Samsung'un en son bellek ürünleri, entegrasyon yoğunluğunu ve tasarım optimizasyonunu geliştirmek için en yeni süreçler ve teknolojiler kullanılarak geliştirilmiştir.Endüstrinin en yüksek tek DRAM çip kapasitesine sahipler ve aynı ambalaj boyutunda 16GB DDR5 DRAM kapasitesinin iki katı sağlıyorlar.
Daha önce, 16GB DRAM kullanılarak üretilen DDR5 128GB DRAM modülleri, delik (TSV) teknolojisi yoluyla silikon kullanılmasını gerektiriyordu.Şimdi, Samsung 32GB DRAM kullanılarak, TSV teknolojisi kullanılmadan 128GB modüller üretilirken, 16GB DRAM kullanılarak 128GB modüllere kıyasla güç tüketimini yaklaşık% 10 azaltır.Bu teknolojik atılım, bu ürünü veri merkezleri gibi enerji verimliliği bilinçli işletmeler için en iyi çözümlerden biri haline getiriyor.
12nm seviye 32GB DDR5 DRAM'a dayanarak Samsung, bilgi işlem ve BT endüstrilerinin mevcut ve gelecekteki ihtiyaçlarını karşılamak için yüksek kapasiteli DRAM ürün serisini genişletmeye devam etmeyi planlıyor.Samsung, veri merkezleri, yapay zeka ve yeni nesil bilgi işlem uygulamalarındaki müşterilere 12nm seviye 32GB DRAM sağlayarak gelecek nesil DRAM pazarındaki liderlik pozisyonunu yeniden teyit edecek.
Samsung, bu yıl Mayıs ayında 12nm seviye 16GB DDR5 DRAM'ın kitlesel üretiminin başladığını duyurdu.Yeni 12nm seviye 32GB DDR5 DRAM'ın bu yılın sonunda kitle üretimine başlaması planlanıyor.
Samsung, 12nm seviye 32GB DRAM ile 1 TB'a kadar DRAM modülüne ulaşabilen bir çözümün, yapay zeka döneminde yüksek kapasiteli DRAM talebini karşılayabileceğini belirtti.
Samsung ilk 64kb DRAM'ını 1983 yılında geliştirdi ve DRAM kapasitesini son kırk yılda 500000 kat başarıyla artırdı.
Samsung'un en son bellek ürünleri, entegrasyon yoğunluğunu ve tasarım optimizasyonunu geliştirmek için en yeni süreçler ve teknolojiler kullanılarak geliştirilmiştir.Endüstrinin en yüksek tek DRAM çip kapasitesine sahipler ve aynı ambalaj boyutunda 16GB DDR5 DRAM kapasitesinin iki katı sağlıyorlar.
Daha önce, 16GB DRAM kullanılarak üretilen DDR5 128GB DRAM modülleri, delik (TSV) teknolojisi yoluyla silikon kullanılmasını gerektiriyordu.Şimdi, Samsung 32GB DRAM kullanılarak, TSV teknolojisi kullanılmadan 128GB modüller üretilirken, 16GB DRAM kullanılarak 128GB modüllere kıyasla güç tüketimini yaklaşık% 10 azaltır.Bu teknolojik atılım, bu ürünü veri merkezleri gibi enerji verimliliği bilinçli işletmeler için en iyi çözümlerden biri haline getiriyor.
12nm seviye 32GB DDR5 DRAM'a dayanarak Samsung, bilgi işlem ve BT endüstrilerinin mevcut ve gelecekteki ihtiyaçlarını karşılamak için yüksek kapasiteli DRAM ürün serisini genişletmeye devam etmeyi planlıyor.Samsung, veri merkezleri, yapay zeka ve yeni nesil bilgi işlem uygulamalarındaki müşterilere 12nm seviye 32GB DRAM sağlayarak gelecek nesil DRAM pazarındaki liderlik pozisyonunu yeniden teyit edecek.