Japonya, geleneksel taşlama ve parlatma yöntemlerinden daha üstün olan düz gofret substratlarını ısıtmak için yeni bir teknoloji geliştirdi

Nikkei Çin web sitesindeki bir rapora göre, Japonya'daki Waseda Üniversitesi Profesör Seimatsu Hang tarafından yönetilen bir araştırma ekibi, geleneksel öğütme yöntemlerinden daha uygun ve yüksek performanslı yarı iletken gofret substratlarının yüzeyini düzleştirmek için bir yöntem geliştirdi.ve yarı iletken üretim süreçlerini iyileştirmek için faydalıdır.

Araştırma ekibi silikon karbür gofret substratları kullanarak deneyler gerçekleştirdi.Gofretlerin tüm kristal bloğu ince dilimler halinde kesilerek üretilmesi nedeniyle, kesit düzensizliğe eğilimlidir ve doğrudan kullanılamaz.Geleneksel yöntem, parlatma ve öğütme için çoklu yöntemleri birleştirmektir, ancak bu iç hasar ve yüzey düşüşü oluşumuna yol açabilir.

Ekip, mekanik olarak toprak silikon karbür substratını argon altında ve hidrojen korumasını 10 dakika ila 1600 santigrat dereceye kadar ısıtacak ve daha sonra bir süre 1400 santigrat derecede koruyacak.Bu noktada, yüzey atomik bir düzlük seviyesine ulaşır.Geleneksel çoklu parlatmaya kıyasla sadece ısıtma gerektiren basit çalışma yöntemi nedeniyle, üretim saatlerini kısaltmak ve maliyetleri azaltmak faydalıdır.

Güç yarı iletken malzeme silikon karbürü işlemeye ek olarak, bu teknoloji, galyum nitrür ve galyum arsenit gofretler gibi benzer kafes yapılarına sahip diğer malzemeleri işlemek için de kullanılabilir.